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BQ29412DCT3RE6详细规格: 类别：PMIC - 电池管理; 描述：IC BATT PROT 2-4CELL LI-ION SM8; 系列：-; 制造商：Texas Instruments; 功能：过压/欠压保护; 电池化学：锂离子（Li-Ion）; 电压_电源：4 V ~ 25 V; 工作温度：-40°C ~ 110°C; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：7-LSSOP（0.11"?，2.80mm 宽）; 供应商器件封装：SM8; 包装：带卷 (TR)

BQ29412DCT3RE6供应商

BLM41PG181SN1L
铁氧体磁珠和芯片 Murata Electronics North America 1806（4516 公制） FERRITE CHIP 180 OHM 3000MA 1806
BLF6G10LS-200,112
RF FET NXP Semiconductors SOT-502B IC BASESTATION FINAL SOT502B
C0603C510J5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 51PF 50V 5% NP0 0603
BQ29411PWRG4
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC BATT/PROTECT 2-4CELL 8-TSSOP
C2423A.41.10
多芯导线 General Cable/Carol Brand 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） CABLE 15COND 18AWG UNSHLD UL2464
74LVC3G14GT,115
逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 8-XFDFN IC TRPL INV SCHMITT TRIG 8-XSON
74HCT7403D-Q100,51
逻辑 - FIFO NXP Semiconductors 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC FIFO REGISTER 4X64 3ST 16SOIC
BLM41PG181SN1L
铁氧体磁珠和芯片 Murata Electronics North America 1806（4516 公制） FERRITE CHIP 180 OHM 3000MA 1806
BLF6G15LS-250PBRN,
RF FET NXP Semiconductors SOT-1110B TRANS LDMOS SOT1110B
C0603C510J5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 51PF 50V 5% NP0 0603
C2426A.38.10
多芯导线 General Cable/Carol Brand 0603（1608 公制） 7C/16 19/.0117TC UNSH TYPE CM
74LVC3G14GT,115
逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 8-XFDFN IC TRPL INV SCHMITT TRIG 8-XSON
74HCT74PW,118
逻辑 - 触发器 NXP Semiconductors 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC DUAL D FF POSEDG TRIG 14TSSOP
BLF6G15LS-40RN,118
其它 NXP Semiconductors 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） TRANS RF LDMOS 40W SOT1135B
BLM6G22-30,118
RF 放大器 NXP Semiconductors SOT834-1 TRANS SOT834-1

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