

BQ29200DRBR详细规格
- 类别:PMIC - 电池管理
- 描述:IC VOLT PROT 2-CELL LI-ION 8SON
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- 功能:过压防护
- 电池化学:锂离子(Li-Ion)
- 电压_电源:4 V ~ 10 V
- 工作温度:-40°C ~ 110°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:8-SON 裸露焊盘(3x3)
- 包装:带卷 (TR)
BQ29200DRBR详细规格
- 类别:PMIC - 电池管理
- 描述:IC VOLT PROT 2-CELL LI-ION 8SON
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- 功能:过压防护
- 电池化学:锂离子(Li-Ion)
- 电压_电源:4 V ~ 10 V
- 工作温度:-40°C ~ 110°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:8-SON 裸露焊盘(3x3)
- 包装:Digi-Reel®
BQ29200DRBR详细规格
- 类别:PMIC - 电池管理
- 描述:IC VOLT PROT 2-CELL LI-ION 8SON
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- 功能:过压防护
- 电池化学:锂离子(Li-Ion)
- 电压_电源:4 V ~ 10 V
- 工作温度:-40°C ~ 110°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:8-SON 裸露焊盘(3x3)
- 包装:剪切带 (CT)
BQ29200DRBT详细规格
- 类别:PMIC - 电池管理
- 描述:IC VOLT PROT 2-CELL LI-ION 8SON
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- 功能:过压防护
- 电池化学:锂离子(Li-Ion)
- 电压_电源:4 V ~ 10 V
- 工作温度:-40°C ~ 110°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:8-SON 裸露焊盘(3x3)
- 包装:Digi-Reel®
BQ29200DRBT详细规格
- 类别:PMIC - 电池管理
- 描述:IC VOLT PROT 2-CELL LI-ION 8SON
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- 功能:过压防护
- 电池化学:锂离子(Li-Ion)
- 电压_电源:4 V ~ 10 V
- 工作温度:-40°C ~ 110°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:8-SON 裸露焊盘(3x3)
- 包装:带卷 (TR)
BQ29200DRBT详细规格
- 类别:PMIC - 电池管理
- 描述:IC VOLT PROT 2-CELL LI-ION 8SON
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- 功能:过压防护
- 电池化学:锂离子(Li-Ion)
- 电压_电源:4 V ~ 10 V
- 工作温度:-40°C ~ 110°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:8-SON 裸露焊盘(3x3)
- 包装:剪切带 (CT)
- 逻辑 - 变换器 NXP Semiconductors 8-XFDFN TXRX TRANSLATING 3ST XSON8
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 8-VDFN 裸露焊盘 IC VOLT PROT 2-CELL LI-ION 8SON
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 4.7UF 10V 20% X5R 0603
- 逻辑 - 锁销 NXP Semiconductors 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC OCT D TRANSP LATCH INV 20SOIC
- RF FET NXP Semiconductors SOT-262A1 TRANSISTOR RF DMOS SOT262A1
- 铁氧体磁珠和芯片 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) FERRITE CHIP 150 OHM 0805
- 保险丝 - 电气,特制 Cooper Bussmann 盒,非标准 FUSELINK 63A 690V 22X58MM
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 NXP Semiconductors 96-LFBGA IC TRANSCVR TRI-ST 32BIT 96LFBGA
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 2.2UF 16V 20% X7R 0805
- 逻辑 - 锁销 NXP Semiconductors 20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) IC OCTAL D TRANSP LATCH 20SSOP
- 铁氧体磁珠和芯片 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) FERRITE CHIP 420 OHM 0805
- RF FET NXP Semiconductors SOT-608A TRANSISTOR UHF PWR LDMOS SOT608
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC QUAD 2-IN OR GATE 14SOIC
- 保险丝 - 电气,特制 Cooper Bussmann 圆柱形,报警指示 FUSE INDUST 6A 690V CLASS GG
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 33PF 50V 5% NP0 0805