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BLM21BD421SN1D详细规格: 类别：铁氧体磁珠和芯片; 描述：FERRITE CHIP 420 OHM 0805; 系列：EMIFIL®, BLM21B; 制造商：Murata Electronics North America; 频率对应阻抗：420 欧姆 @ 100MHz; 额定电流：200mA; DC电阻333DCR444：最大 300 毫欧; 滤波器类型：差模 - 单线; 封装/外壳：0805（2012 公制）; 安装类型：表面贴装; 包装：带卷 (TR); 高度（最大）：0.057"（1.45mm）; 尺寸/尺寸：0.079" L x 0.049" W（2.00mm x 1.25mm）

BLM21BD421SN1D供应商

C0603C475M8PACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 4.7UF 10V 20% X5R 0603
74HCT563D,653
逻辑 - 锁销 NXP Semiconductors 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC OCT D TRANSP LATCH INV 20SOIC
BLF368,112
RF FET NXP Semiconductors SOT-262A1 TRANSISTOR RF DMOS SOT262A1
BLM21BD151SN1D
铁氧体磁珠和芯片 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） FERRITE CHIP 150 OHM 0805
C22G63
保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 盒，非标准 FUSELINK 63A 690V 22X58MM
74LVC32245AEC,557
逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 NXP Semiconductors 96-LFBGA IC TRANSCVR TRI-ST 32BIT 96LFBGA
C0805X225M4RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 2.2UF 16V 20% X7R 0805
C0603C475M9PACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 4.7UF 6.3V 20% X5R 0603
BQ29200DRBT
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 8-VDFN 裸露焊盘 IC VOLT PROT 2-CELL LI-ION 8SON
BLF3G22-30,112
RF FET NXP Semiconductors SOT-608A TRANSISTOR UHF PWR LDMOS SOT608
74LVC32AD,112
逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC QUAD 2-IN OR GATE 14SOIC
C22G6I
保险丝 - 电气，特制 Cooper Bussmann 圆柱形，报警指示 FUSE INDUST 6A 690V CLASS GG
C0805X330J5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 33PF 50V 5% NP0 0805
BQ29209DRBR
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 8-VDFN 裸露焊盘 IC VOLT PROT 2-CELL LI-ION 8SON
C0603C479C3GACAUTO
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 4.7PF 25V NP0 0603

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