BLF6G22LS-130的供应信息|PDF资料|求购BLF6G22LS-130上51电子网

BLF6G22LS-130,112详细规格: 类别：RF FET; 描述：TRANSISTOR BASE STATION SOT502B; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：LDMOS; 频率：2.11GHz ~ 2.17GHz; 增益：17dB; 电压_测试：28V; 额定电流：34A; 噪音数据：-; 电流_测试：1.1A; 功率_输出：30W; 电压_额定：65V; 封装/外壳：SOT-502B; 供应商设备封装：LDMOST; 包装：管件

BLF6G22LS-130,112详细规格: 类别：RF FET; 描述：TRANSISTOR BASE STATION SOT502B; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：LDMOS; 频率：2.11GHz ~ 2.17GHz; 增益：17dB; 电压_测试：28V; 额定电流：34A; 噪音数据：-; 电流_测试：1.1A; 功率_输出：30W; 电压_额定：65V; 封装/外壳：SOT-502B; 供应商设备封装：LDMOST; 包装：管件

BLF6G22LS-130,118详细规格: 类别：RF FET; 描述：IC BASESTATION DRIVER SOT502B; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：LDMOS; 频率：2.11GHz ~ 2.17GHz; 增益：17dB; 电压_测试：28V; 额定电流：34A; 噪音数据：-; 电流_测试：1.1A; 功率_输出：30W; 电压_额定：65V; 封装/外壳：SOT-502B; 供应商设备封装：LDMOST; 包装：带卷 (TR)

B32676T6275K
薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 2.7UF 10% 630VDC
C0402X5R0J102K
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 1000PF 6.3V X5R 01005
BLF6G22LS-130,112
RF FET NXP Semiconductors SOT-502B TRANSISTOR BASE STATION SOT502B
BF723,115
晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA TRANS PNP 250V 50MA SOT223
C0603C154M3VACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.15UF 25V 20% Y5V 0603
C0402C829J5GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 8.2PF 50V 5% NP0 0402
BH-20E_CTI-14T_TI
适配器 Blackhawk 0402（1005 公制） ADAPTER PIN CONVERTER 14-20 PIN
70GRCK4R-DIN
I/O 机架 Grayhill Inc 0402（1005 公制） I/O MOUNTING BOARD G5 4POS
B32676T6275K
薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 2.7UF 10% 630VDC
C0603C159C5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1.5PF 50V NP0 0603
BF8/RC
配件 JKL Components Corp. 0603（1608 公制） END CAP RUBBER 8MM CCFL
C0402C829J5GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 8.2PF 50V 5% NP0 0402
B32676T8205K
薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 2.0UF 10% 875VDC
70GRCQ24-HL
I/O 机架 Grayhill Inc 径向 I/O MOUNTING BOARD G5 24POS
BH212DW
电池座，夹，触点 MPD (Memory Protection Devices) 径向 HOLDER 12 D CELL W/6 WIRE LEADS

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