BLF6G22LS-100 全国供应商、价格、PDF资料
BLF6G22LS-100,112详细规格
- 类别：RF FET
- 描述：TRANS BASESTATION 2-LDMOST
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：LDMOS
- 频率：2.11GHz ~ 2.17GHz
- 增益：18.2dB
- 电压_测试：28V
- 额定电流：29A
- 噪音数据：-
- 电流_测试：950mA
- 功率_输出：25W
- 电压_额定：65V
- 封装/外壳：SOT-502B
- 供应商设备封装：LDMOST
- 包装：托盘
BLF6G22LS-100,118详细规格
- 类别：RF FET
- 描述：TRANS BASESTATION 2-LDMOST
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：LDMOS
- 频率：2.11GHz ~ 2.17GHz
- 增益：18.5dB
- 电压_测试：28V
- 额定电流：29A
- 噪音数据：-
- 电流_测试：950mA
- 功率_输出：25W
- 电压_额定：65V
- 封装/外壳：SOT-502B
- 供应商设备封装：LDMOST
- 包装：带卷 (TR)
- I/O 继电器模块 - 输出 Grayhill Inc 0402（1005 公制） OUTPUT MODULE G5 26MA 5VDC
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 9.0UF 10% 300VDC
- 陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 0.1UF 4V 20% X5R 01005
- RF FET NXP Semiconductors SOT-502B TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502B
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA TRANS SS PNP 300V 50MA SOT-223
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.15UF 10V 10% X7R 0603
- 配件 MPD (Memory Protection Devices) 0603（1608 公制） COVER BATTERY FOR 2/3A HOLDER
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 8.2PF 50V NP0 0402
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 9.0UF 10% 300VDC
- 陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 0.1UF 4V 20% X5R 01005
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.15UF 10V 10% X7R 0603
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA TRANS NPN 250V 50MA SOT223
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 8.2PF 25V 5% NP0 0402
- 配件 MPD (Memory Protection Devices) 0402（1005 公制） COVER BATTERY FOR 2/3A HOLDER
- I/O 机架 Grayhill Inc 0402（1005 公制） I/O MOUNTING BOARD G5 4POS
0755-23609091 
13537790913 
010-62104931、 
13910052844（微 
13910052844（微 
0755-82723916 
0755-82561519 
0755-83777607 
010-62104931、 
0755-83286481 
0755-15913992 
0755-82731800 
15026993318 / 
0755-88917652 
0755-83223003 
