BLF578,112详细规格
- 类别:RF FET
- 描述:TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:LDMOS
- 频率:108MHz
- 增益:26dB
- 电压_测试:50V
- 额定电流:88A
- 噪音数据:-
- 电流_测试:40mA
- 功率_输出:1000W
- 电压_额定:110V
- 封装/外壳:SOT539A
- 供应商设备封装:SOT539A
- 包装:托盘
BLF578XR,112详细规格
- 类别:其它
- 描述:TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT539A
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
- 类型:
- 触点类型:
- 连接器类型:
- 适用于相关产品:
- 位置数:
- 加载位置的数目:
- 间距:
- 行数:
- 行间距:
- 触点接合长度:
- 安装类型:
- 端子:
- 紧固型:
- 特点:
- 触点表面涂层:
- 触点涂层厚度:
- 颜色:
- 包装:
BLF578XR,112详细规格
- 类别:其它
- 描述:TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT539A
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
- 套件类型:
- 套件包括:
- 包装:
BLF578XR,112详细规格
- 类别:其它
- 描述:TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT539A
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
- 功能:
- 类型:
- 配套使用产品/相关产品:
- 频率:
- RF类型:
- 辅助属性:
- 封装/外壳:
- 包装:
BLF578XR,112详细规格
- 类别:其它
- 描述:TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT539A
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
BLF578XRS,112详细规格
- 类别:RF FET
- 描述:TRANSISTOR RF POWER LDMOST
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:
- 频率:
- 增益:
- 电压_测试:
- 额定电流:
- 噪音数据:
- 电流_测试:
- 功率_输出:
- 电压_额定:
- 封装/外壳:
- 供应商设备封装:
- 包装:
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.015UF 50V 10% X7R 0603
- RF FET NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 JFET N-CH 30V 15MA SOT23
- 其它 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT539A
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 27PF 25V 5% NP0 0402
- 光学 - 光电探测器 - 环境光传感器 Rohm Semiconductor 4-WLGA IC AMBIENT LIGHT SENSOR 4WLGA
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 8200PF 50V 5% X7R 0402
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 25.0000UF 10% 450V
- 配件 Grayhill Inc KIT FUSE 5A PICO II
- RF FET NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 JFET N-CH 30V 15MA SOT23
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 33PF 50V 2% NP0 0402
- 电池座,夹,触点 MPD (Memory Protection Devices) 0402(1005 公制) HOLDER BATT 18650 1CELL PC PIN
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 8200PF 25V 10% X7R 0402
- 衣物 Easy Braid Co. 0402(1005 公制) 12" WET/DRY HANDLING 450F
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 14UF 630VDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.015UF 50V 20% X7R 0603