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BH28RB1WGUT-E2详细规格: 类别：PMIC - 稳压器 - 线性; 描述：IC REG LDO 2.8V .15A 4-VCSP; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 稳压器拓扑：正，固定式; 电压_输出：2.8V; 电压_输入：最高 5.5V; 电压_跌落（典型值）：0.1V @ 100mA; 稳压器数：1; 电流_输出：150mA（最小值）; 电流_限制（最小值）：-; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：4-WFBGA，CSPBGA; 供应商器件封装：VCSP60N1; 包装：带卷 (TR)

BH28RB1WGUT-E2详细规格: 类别：PMIC - 稳压器 - 线性; 描述：IC REG LDO 2.8V .15A 4-VCSP; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 稳压器拓扑：正，固定式; 电压_输出：2.8V; 电压_输入：最高 5.5V; 电压_跌落（典型值）：0.1V @ 100mA; 稳压器数：1; 电流_输出：150mA（最小值）; 电流_限制（最小值）：-; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：4-WFBGA，CSPBGA; 供应商器件封装：VCSP60N1; 包装：剪切带 (CT)

BH28RB1WGUT-E2详细规格: 类别：PMIC - 稳压器 - 线性; 描述：IC REG LDO 2.8V .15A 4-VCSP; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 稳压器拓扑：正，固定式; 电压_输出：2.8V; 电压_输入：最高 5.5V; 电压_跌落（典型值）：0.1V @ 100mA; 稳压器数：1; 电流_输出：150mA（最小值）; 电流_限制（最小值）：-; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：4-WFBGA，CSPBGA; 供应商器件封装：VCSP60N1; 包装：Digi-Reel®

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陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 0.033UF 10V 5% SL 0805
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C3216X7R1E105K/1.60
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 25V 10% X7R 1206
C0805C820F5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 82PF 50V 1% NP0 0805
BSZ086P03NS3E G
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
C2012SL1A683J
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 0.068UF 10V 5% SL 0805
C1005C0G1H430J
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 43PF 50V 5% NP0 0402
C3216X7R1E105K/1.60
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 25V 10% X7R 1206
C0805C820G1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 82PF 100V 2% NP0 0805
BTS3134D
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IC SWITCH N-CH LOW SIDE DPAK