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BFT25A,215详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：5V; 频率_转换：5GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：1.8dB ~ 2dB @ 1GHz; 增益：-; 功率_最大：32mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 500µA，1V; 电流_集电极333Ic444（最大）：6.5mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BFT25A,215详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：5V; 频率_转换：5GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：1.8dB ~ 2dB @ 1GHz; 增益：-; 功率_最大：32mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 500µA，1V; 电流_集电极333Ic444（最大）：6.5mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：剪切带 (CT)

BFT25A,215详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：5V; 频率_转换：5GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：1.8dB ~ 2dB @ 1GHz; 增益：-; 功率_最大：32mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 500µA，1V; 电流_集电极333Ic444（最大）：6.5mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：Digi-Reel®

BFT25A,215详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：5V; 频率_转换：5GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：1.8dB ~ 2dB @ 1GHz; 增益：-; 功率_最大：32mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 500µA，1V; 电流_集电极333Ic444（最大）：6.5mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BAS70-05-V-GS08
二极管，整流器 - 阵列 Vishay Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHOTKY SS 70V 200MA SOT23
C1608X6S1H224K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.22UF 50V 10% X6S 0603
74AUP1G32GM,115
逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC 2-IN OR GATE LP 6-XSON
BD534K
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-220-3 TRANSISTOR PNP 45V 8A TO-220
BFS540,115
RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors SC-70，SOT-323 TRANS NPN 15V 120MA SOT323
C0603C181G5GALTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 180PF 50V 2% NP0 0603
BC501SM
电池座，夹，触点 MPD (Memory Protection Devices) 0603（1608 公制） HOLDER COIN CELL FOR CR1220 SMD
BAS70-05W,115
二极管，整流器 - 阵列 NXP Semiconductors SC-70，SOT-323 DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT323
B82422H1682K
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR 6.8UH 570MA 1210 10%
BD534KTU
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-220-3 TRANSISTOR PNP 45V 8A TO-220
74AUP1G32GM,132
逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC GATE OR LP 2INPUT XSON6
BC51-10PA,115
其它 NXP Semiconductors TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT1061
C0603C181J1GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 180PF 100V 5% NP0 0603
BAS70-06-7
二极管，整流器 - 阵列 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHTKY 200MW 70V SOT23-3
C1608X6S1H474K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.47UF 50V 10% X6S 0603

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