BFS19 全国供应商、价格、PDF资料

BFS19,215详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 20V 30MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：30mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：20V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：65 @ 1mA，10V

功率_最大：250mW

频率_转换：260MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：Digi-Reel®

BFS19,215详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 20V 30MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：30mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：20V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：65 @ 1mA，10V

功率_最大：250mW

频率_转换：260MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：剪切带 (CT)

BFS19,215详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 20V 30MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：30mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：20V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：65 @ 1mA，10V

功率_最大：250mW

频率_转换：260MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：带卷 (TR)

BFS19,235详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 20V 30MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：30mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：20V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：65 @ 1mA，10V

功率_最大：250mW

频率_转换：260MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：Digi-Reel®

BFS19,235详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 20V 30MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：30mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：20V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：65 @ 1mA，10V

功率_最大：250mW

频率_转换：260MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：剪切带 (CT)

BFS19,235详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 20V 30MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：30mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：20V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：65 @ 1mA，10V

功率_最大：250mW

频率_转换：260MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：带卷 (TR)