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BFP540FESDE6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS RF NPN 4.5V 80MA TSFP-4; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：5V; 频率_转换：30GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz; 增益：20dB; 功率_最大：250mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 20mA，3.5V; 电流_集电极333Ic444（最大）：80mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：4-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：4-TSFP; 包装：带卷 (TR)

BFP540FESDE6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS RF NPN 4.5V 80MA TSFP-4; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：5V; 频率_转换：30GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz; 增益：20dB; 功率_最大：250mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 20mA，3.5V; 电流_集电极333Ic444（最大）：80mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：4-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：4-TSFP; 包装：剪切带 (CT)

BFP540FESDE6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS RF NPN 4.5V 80MA TSFP-4; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：5V; 频率_转换：30GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz; 增益：20dB; 功率_最大：250mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 20mA，3.5V; 电流_集电极333Ic444（最大）：80mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：4-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：4-TSFP; 包装：Digi-Reel®

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逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC GATE AND 3INPUT LP 6-XSON
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Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Rohm Semiconductor 8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽） IC OP AMP DUAL 3MA 2MHZ MSOP8
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陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 0.022UF 25V 5% X7R 0402
B82422A1682K100
固定式 EPCOS Inc 1210（3225 公制） INDUCTOR 6.8UH 135MA 1210 10%
BC32725TFR
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANSISTOR PNP 45V 800MA TO-92
BD9322EFJ
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Rohm Semiconductor 8-TSOP 裸露焊盘，8-eTSOP，8-HTSOP IC REG BUCK SYNC ADJ 2A 8HTSOP
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逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 Texas Instruments 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC BUS BUFF TRI-ST NON-INV SC705

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