

BFG520,215详细规格
- 类别:RF 晶体管 (BJT)
- 描述:TRANS RF NPN 9GHZ 15V SOT143
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电压_集电极发射极击穿(最大):15V
- 频率_转换:9GHz
- 噪声系数(dB典型值0a0频率):1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
- 增益:-
- 功率_最大:300mW
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 20mA,6V
- 电流_集电极333Ic444(最大):70mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA
- 供应商设备封装:SOT-143B
- 包装:剪切带 (CT)
BFG520,215详细规格
- 类别:RF 晶体管 (BJT)
- 描述:TRANS RF NPN 9GHZ 15V SOT143
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电压_集电极发射极击穿(最大):15V
- 频率_转换:9GHz
- 噪声系数(dB典型值0a0频率):1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
- 增益:-
- 功率_最大:300mW
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 20mA,6V
- 电流_集电极333Ic444(最大):70mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA
- 供应商设备封装:SOT-143B
- 包装:带卷 (TR)
BFG520,215详细规格
- 类别:RF 晶体管 (BJT)
- 描述:TRANS RF NPN 9GHZ 15V SOT143
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电压_集电极发射极击穿(最大):15V
- 频率_转换:9GHz
- 噪声系数(dB典型值0a0频率):1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
- 增益:-
- 功率_最大:300mW
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 20mA,6V
- 电流_集电极333Ic444(最大):70mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA
- 供应商设备封装:SOT-143B
- 包装:Digi-Reel®
BFG520,215详细规格
- 类别:RF 晶体管 (BJT)
- 描述:TRANS RF NPN 9GHZ 15V SOT143
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电压_集电极发射极击穿(最大):15V
- 频率_转换:9GHz
- 噪声系数(dB典型值0a0频率):1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
- 增益:-
- 功率_最大:300mW
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 20mA,6V
- 电流_集电极333Ic444(最大):70mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA
- 供应商设备封装:SOT-143B
- 包装:带卷 (TR)
BFG520,235详细规格
- 类别:RF 晶体管 (BJT)
- 描述:TRANS RF NPN 9GHZ 15V SOT143
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电压_集电极发射极击穿(最大):15V
- 频率_转换:9GHz
- 噪声系数(dB典型值0a0频率):1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
- 增益:-
- 功率_最大:300mW
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 20mA,6V
- 电流_集电极333Ic444(最大):70mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA
- 供应商设备封装:SOT-143B
- 包装:带卷 (TR)
BFG520/X,215详细规格
- 类别:RF 晶体管 (BJT)
- 描述:TRANS RF NPN 9GHZ 15V SOT143
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电压_集电极发射极击穿(最大):15V
- 频率_转换:9GHz
- 噪声系数(dB典型值0a0频率):1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
- 增益:-
- 功率_最大:300mW
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 20mA,6V
- 电流_集电极333Ic444(最大):70mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA
- 供应商设备封装:SOT-143B
- 包装:剪切带 (CT)
- 陶瓷 EPCOS Inc 0805(2012 公制) CAP CER 150PF 50V 5% NP0 0805
- 嵌入式 - 带有微控制器的 FPGA(现场可编程门阵列) Atmel 144-LQFP IC FPSLIC 10K GATE 25MHZ 144LQFP
- RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors TO-253-4,TO-253AA TRANS RF NPN 9GHZ SOT4
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
- 陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 2200PF 50V 5% RADIAL
- 风扇 - DC Sunon Fans 径向 BLOWER 5VDC 25X9.8MM .9W PLAS
- 板对板 - 阵列,边缘类型,包厢 Panasonic Electric Works 径向 CONN HEADER BRD/BRD .5MM 12POS
- 陶瓷 EPCOS Inc 0805(2012 公制) CAP CER 1500PF 50V 5% NP0 0805
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 220UF 420V
- 其它 International Rectifier TO-253-4,TO-253AA MOSFET 2N-CH 50V 3.0A 8SOIC
- 陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 270PF 50V 5% RADIAL
- 单二极管/整流器 Diodes Inc SOD-123 DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
- 板对板 - 阵列,边缘类型,包厢 Panasonic Electric Works SOD-123 CONN HEADER BRD/BRD .5MM 14POS
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 220UF 420V
- 陶瓷 EPCOS Inc 0805(2012 公制) CAP CER 180PF 50V 5% NP0 0805