BFG410W的供应信息|PDF资料|求购BFG410W上51电子网

BFG410W,115详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS NPN 4.5V 22GHZ SOT343R; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：4.5V; 频率_转换：22GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz; 增益：21dB; 功率_最大：54mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 10mA，2V; 电流_集电极333Ic444（最大）：12mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-82A，SOT-343; 供应商设备封装：CMPAK-4; 包装：带卷 (TR)

BFG410W,115详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS NPN 4.5V 22GHZ SOT343R; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：4.5V; 频率_转换：22GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz; 增益：21dB; 功率_最大：54mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 10mA，2V; 电流_集电极333Ic444（最大）：12mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-82A，SOT-343; 供应商设备封装：CMPAK-4; 包装：剪切带 (CT)

BFG410W,115详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS NPN 4.5V 22GHZ SOT343R; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：4.5V; 频率_转换：22GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz; 增益：21dB; 功率_最大：54mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 10mA，2V; 电流_集电极333Ic444（最大）：12mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-82A，SOT-343; 供应商设备封装：CMPAK-4; 包装：Digi-Reel®

BFG410W,115详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS NPN 4.5V 22GHZ SOT343R; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：4.5V; 频率_转换：22GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz; 增益：21dB; 功率_最大：54mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 10mA，2V; 电流_集电极333Ic444（最大）：12mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-82A，SOT-343; 供应商设备封装：CMPAK-4; 包装：带卷 (TR)

BFG410W,135详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS RF NPN 22GHZ 4.5V SOT343; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：4.5V; 频率_转换：22GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz; 增益：21dB; 功率_最大：54mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 10mA，2V; 电流_集电极333Ic444（最大）：12mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-82A，SOT-343; 供应商设备封装：CMPAK-4; 包装：带卷 (TR)

BMA250
加速计 Bosch Sensortec 12-VQFN 3-AXIS ACCELEROMETER DIGITAL I/F
C0603X472J1GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 4700PF 100V 5% NP0 0603
C1812C682J1GACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 6800PF 100V 5% NP0 1812
BFG35,115
RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA TRANS NPN 10V 150MA SOT223
BUK7609-55A,118
FET - 单 NXP Semiconductors TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH TRENCH 55V D2PAK
BR24C04-RDW6TP
存储器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC EEPROM 4KBIT 100KHZ 8TSSOP
C0603C152J5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1500PF 50V 5% NP0 0603
BMA6032PQ
保险丝座 Cooper Bussmann 0603（1608 公制） FUSEBLOCK 2POS 13/32 X 1 1/2" QC
C1812C682J5GALTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 6800PF 50V 5% NP0 1812
BUK7609-75A,118
FET - 单 NXP Semiconductors TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
C0805C271F1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 270PF 100V 1% NP0 0805
BR24C04-WDW6TP
存储器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC EEPROM 4KBIT 400KHZ 8TSSOP
C0603C152J8RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1500PF 10V 5% X7R 0603
BMA6032SQ
保险丝座 Cooper Bussmann 0603（1608 公制） FUSEBLOCK 2POS 13/32 X 1 1/2" QC
C0603X473K3RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.047UF 25V 10% X7R 0603

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