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BFG10,215详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：8V; 频率_转换：1.9GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：-; 增益：7dB; 功率_最大：400mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：25 @ 50mA，5V; 电流_集电极333Ic444（最大）：250mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-253-4，TO-253AA; 供应商设备封装：SOT-143B; 包装：带卷 (TR)

BFG10,215详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：8V; 频率_转换：1.9GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：-; 增益：7dB; 功率_最大：400mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：25 @ 50mA，5V; 电流_集电极333Ic444（最大）：250mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-253-4，TO-253AA; 供应商设备封装：SOT-143B; 包装：Digi-Reel®

BFG10,215详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：8V; 频率_转换：1.9GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：-; 增益：7dB; 功率_最大：400mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：25 @ 50mA，5V; 电流_集电极333Ic444（最大）：250mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-253-4，TO-253AA; 供应商设备封装：SOT-143B; 包装：剪切带 (CT)

BFG10/X,215详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：8V; 频率_转换：1.9GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：-; 增益：7dB; 功率_最大：400mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：25 @ 50mA，5V; 电流_集电极333Ic444（最大）：250mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-253-4，TO-253AA; 供应商设备封装：SOT-143B; 包装：带卷 (TR)

BFG10/X,215详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：8V; 频率_转换：1.9GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：-; 增益：7dB; 功率_最大：400mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：25 @ 50mA，5V; 电流_集电极333Ic444（最大）：250mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-253-4，TO-253AA; 供应商设备封装：SOT-143B; 包装：Digi-Reel®

BFG10/X,215详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：8V; 频率_转换：1.9GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：-; 增益：7dB; 功率_最大：400mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：25 @ 50mA，5V; 电流_集电极333Ic444（最大）：250mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-253-4，TO-253AA; 供应商设备封装：SOT-143B; 包装：剪切带 (CT)

BM80A-048L-050F60
DC DC Converters Emerson Network Power 模块 CONV DC-DC 300W 48VIN 5.0V 60A
C0603X333K5RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.033UF 50V 10% X7R 0603
C1812C620JCGACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 62PF 500V 5% NP0 1812
BUK7524-55,127
FET - 单 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 55V TO220AB
BFG10,215
RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors TO-253-4，TO-253AA TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143
C0603C152G5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1500PF 50V 2% NP0 0603
BM80A-300L-022F75
DC DC Converters Emerson Network Power 模块 CONV DC-DC 300W 300VIN 2.2V 75A
C0603X390J5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 39PF 50V 5% NP0 0603
C1812C680JCGACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 68PF 500V 5% NP0 1812
BM80A-300L-022F85
DC DC Converters Emerson Network Power 模块 CONV DC-DC 300W 300VIN 2.2V 85A
C0603C152J1RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1500PF 100V 5% X7R 0603
C0603X391J5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 390PF 50V 5% NP0 0603
C1812C681JFGACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 680PF 1.5KV 5% NP0 1812
BUK755R2-40B,127
FET - 单 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
BFG25A/X,215
RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors TO-253-4，TO-253AA TRANS NPN 5V 5GHZ SOT143B

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