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BF998,215详细规格: 类别：RF FET; 描述：MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：N 通道双门; 频率：200MHz; 增益：-; 电压_测试：8V; 额定电流：30mA; 噪音数据：0.6dB; 电流_测试：10mA; 功率_输出：-; 电压_额定：12V; 封装/外壳：TO-253-4，TO-253AA; 供应商设备封装：SOT-143B; 包装：带卷 (TR)

BF998,215详细规格: 类别：RF FET; 描述：MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：N 通道双门; 频率：200MHz; 增益：-; 电压_测试：8V; 额定电流：30mA; 噪音数据：0.6dB; 电流_测试：10mA; 功率_输出：-; 电压_额定：12V; 封装/外壳：TO-253-4，TO-253AA; 供应商设备封装：SOT-143B; 包装：带卷 (TR)

BF998,215详细规格: 类别：RF FET; 描述：MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：N 通道双门; 频率：200MHz; 增益：-; 电压_测试：8V; 额定电流：30mA; 噪音数据：0.6dB; 电流_测试：10mA; 功率_输出：-; 电压_额定：12V; 封装/外壳：TO-253-4，TO-253AA; 供应商设备封装：SOT-143B; 包装：剪切带 (CT)

BF998,215详细规格: 类别：RF FET; 描述：MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：N 通道双门; 频率：200MHz; 增益：-; 电压_测试：8V; 额定电流：30mA; 噪音数据：0.6dB; 电流_测试：10mA; 功率_输出：-; 电压_额定：12V; 封装/外壳：TO-253-4，TO-253AA; 供应商设备封装：SOT-143B; 包装：Digi-Reel®

BF998,235详细规格: 类别：RF FET; 描述：MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：N 通道双门; 频率：200MHz; 增益：-; 电压_测试：8V; 额定电流：30mA; 噪音数据：0.6dB; 电流_测试：10mA; 功率_输出：-; 电压_额定：12V; 封装/外壳：TO-253-4，TO-253AA; 供应商设备封装：SOT-143B; 包装：带卷 (TR)

BF998R,215详细规格: 类别：RF FET; 描述：MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143R; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：N 通道双门; 频率：200MHz; 增益：-; 电压_测试：8V; 额定电流：30mA; 噪音数据：0.6dB; 电流_测试：10mA; 功率_输出：-; 电压_额定：12V; 封装/外壳：SOT-143R; 供应商设备封装：SOT-143R; 包装：Digi-Reel®

BCW66HTA
晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 45V SOT23-3
BK0603HM121-T
铁氧体磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0201（0603 公制） FERRITE BEAD 120 OHM 0201
BF959RL1G
RF 晶体管 (BJT) ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANS RF NPN 20V 100MA TO-92
C0805C334K4RACAUTO
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.33UF 16V 10% X7R 0805
C1WH72
线槽，走线系统 - 附件 Panduit Corp 0805（2012 公制） COVER DUCT 1" PVC WHITE 18"
74F827SPC
逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 Fairchild Semiconductor 24-DIP（0.300"，7.62mm） IC BUFF DVR 10BIT N-INV 24DIP
C0603X6S0J104K
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 0.1UF 6.3V 10% X6S 0201
C1220X7R1C224K
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） CAP CER 0.22UF 16V 10% X7R 0805
BCW70LT1G
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS PNP GP 45V 100MA SOT-23
C0805C334K4RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.33UF 16V 10% X7R 0805
C-2 111.0000K-P
晶体 EPSON 圆柱形罐，径向 CRYSTAL 111.0000KHZ 11PF CYL
74FCT162240CTPACT
逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） IC INVERTER QUAD 4-INPUT 48TSSOP
C0603X6S0J224K
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 0.22UF 6.3V 10% X6S 0201
BCW70T116
晶体管(BJT) - 单路 Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 45V 100MA SST3 TR
BK0603HS601-T
铁氧体磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0201（0603 公制） FERRITE BEAD 600OHM 0201

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C1220X7R1C224K

BCW70LT1G

C0805C334K4RACTU

C-2 111.0000K-P

74FCT162240CTPACT

C0603X6S0J224K

BCW70T116

BK0603HS601-T