BDW23ATU详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 60V 6A TO-220
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：6A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：3V @ 60mA，6A
- 电流_集电极截止（最大）：500µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 2A，3V
- 功率_最大：50W
- 频率_转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220
- 包装：管件
- RF FET NXP Semiconductors SC-82A，SOT-343 MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R
- 陶瓷 Kemet 1825（4564 公制） CAP CER 2.2UF 50V 10% X7R 1825
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 120PF 50V 5% NP0 0603
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-218-3 TRANS DARL NPN 100V 10A TO-218
- 电池座，夹，触点 MPD (Memory Protection Devices) TO-218-3 HOLDER BATTERY 1/AA W/GOLD PINS
- 逻辑 - 锁销 NXP Semiconductors 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC LATCH QUAD BISTABLE 16DIP
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.1UF 630VDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.12UF 10V 10% X7R 0805
- RF FET NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET 2N-CH 6V 30MA 6TSSOP
- 电池座，夹，触点 MPD (Memory Protection Devices) TO-220-3 HOLDER BATTERY 1-C CELL PC MOUNT
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1500PF 50V 5% NP0 0603
- 逻辑 - 比较器 NXP Semiconductors 16-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC COMPARATOR MAGNITUDE 16SSOP
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.011UF 630VDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1.2UF 10V 10% X5R 0805
- 陶瓷 Kemet 1825（4564 公制） CAP CER 0.027UF 50V 5% NP0 1825
0755-82533534 
15821228847 / 
010-62962871、 
0755-22929859 
0755-88291559 
0755-15913992 
0755-83223003 
0755-89697985 
010-62962871、 
0755-83015506 
0755-83035161 
13910052844（微 
13910052844（微 
