BD682的供应信息|PDF资料|求购BD682上51电子网

BD682详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR DARL PNP SOT-32; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：4A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V; 功率_最大：40W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：SOT-32-3; 包装：管件

BD682详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR DARL PNP SOT-32; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：4A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V; 功率_最大：40W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：SOT-32; 包装：管件

BD682详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS DARL PNP 4A 100V TO225AA; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：4A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V; 功率_最大：40W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO225AA; 包装：散装

BD682G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS DARL PNP 4A 100V TO225AA; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：4A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V; 功率_最大：40W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO225AA; 包装：散装

BD682S详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 100V 4A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：4A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V; 功率_最大：14W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO-126; 包装：散装

BD682STU详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 100V 4A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：4A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V; 功率_最大：14W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO-126; 包装：管件

APXA100ARA151MH70G
电容器 United Chemi-Con 径向，Can - SMD CAP ALUM 150UF 10V 20% SMD
AQ11EM0R8BA1ME\500
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 0.8PF 150V 0606
BD679A
晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-225AA，TO-126-3 TRANSISTOR DARL NPN SOT-32
B32674D6475K
薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 4.7UF 630VDC RADIAL
BC237BRL1G
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92
AFD58-16-8PW-6141
圆形 - 外壳 TE Connectivity TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 CONN HSG RCPT FLANGE 8POS PIN
BAT750TA
单二极管/整流器 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHOTTKY 40V 750MA SOT23-3
3G3AX-REM00K6035-IE
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 3G3_X BRAKING RESISTOR
AQ11EM100FA1ME
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 10PF 150V 1% 0606
B32674D8105K
薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 1UF 875VDC RADIAL
BC237G
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92
BAT754L,115
二极管，整流器 - 阵列 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DIODE SCHTK TRPL 30V 200MA6TSSOP
3G3AX-REM00K9020-IE
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 3G3_X BRAKING RESISTOR
AFD58-16-8PY-6139
圆形 - 外壳 TE Connectivity 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 CONN HSG RCPT FLANGE 8POS PIN
AQ11EM101JA1BE
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 100PF 150V 5% 0606

BD682 全国供应商、价格、PDF资料