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BD681详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR DARL NPN SOT-32; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：4A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V; 功率_最大：40W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：SOT-32-3; 包装：管件

BD681详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS DARL NPN 4A 100V TO225AA; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：4A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V; 功率_最大：40W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO225AA; 包装：散装

BD681G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS DARL NPN 4A 100V TO225AA; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：4A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V; 功率_最大：40W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO225AA; 包装：散装

BD681S详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 100V 4A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：4A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V; 功率_最大：40W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO-126; 包装：散装

BD681STU详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 100V 4A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：4A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V; 功率_最大：40W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO-126; 包装：管件

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配件 Keystone Electronics 径向 CARRIER BD
B43504D2337M67
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 330UF 250V
BAV99T-TP
二极管，整流器 - 阵列 Micro Commercial Co SOT-523 DIODE SWITCH DL 85V SOT-523
BC2/3AC
配件 MPD (Memory Protection Devices) SOT-523 COVER BATTERY FOR BC2/3AE HOLDER
BD681
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-225AA，TO-126-3 TRANS DARL NPN 4A 100V TO225AA
B43540B5397M60
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 390UF 450V
BC846S,125
晶体管(BJT) - 阵列 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANSISTOR NPN 65V 100MA 6TSSOP
B32653A3804J
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.80UF 5% 250V MKP
7113
配件 Keystone Electronics CARRIER BD
BC846S,125
晶体管(BJT) - 阵列 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANSISTOR NPN 65V 100MA 6TSSOP
BC2/3AC
配件 MPD (Memory Protection Devices) 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 COVER BATTERY FOR BC2/3AE HOLDER
B32653A3824K
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.82UF 10% 250V MKP
7114
配件 Keystone Electronics CARRIER BD
B43540B9157M67
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 150UF 400V
B43504D2827M82
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 820UF 250V

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