BD680A的供应信息|PDF资料|求购BD680A上51电子网

BD680A详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR DARL PNP SOT-32; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：4A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.8V @ 40mA，2A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 2A，3V; 功率_最大：40W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：SOT-32-3; 包装：管件

BD680A详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR DARL PNP SOT-32; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：4A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.8V @ 40mA，2A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 2A，3V; 功率_最大：40W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：SOT-32-3; 包装：管件

BD680AG详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS DARL PNP 80V 4A BIPO TO225; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：4A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.8V @ 40mA，2A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 2A，3V; 功率_最大：40W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO225AA; 包装：散装

BD680AS详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 80V 4A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：4A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.8V @ 40mA，2A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 2A，3V; 功率_最大：14W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO-126; 包装：散装

BD680ASTU详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 80V 4A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：4A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.8V @ 40mA，2A; 电流_集电极截止（最大）：500µA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 2A，3V; 功率_最大：14W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO-126; 包装：管件

C0603C105Z9VACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1UF 6.3V Y5V 0603
B82432T1824K
固定式 EPCOS Inc 1812（4532 公制） INDUCTOR 820UH 80MA 1812 10%
BGA2800,115
RF 放大器 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC AMP MMIC WIDEBAND 6TSSOP
BD677AG
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-225AA，TO-126-3 TRANS DARL NPN 60V 4A BIPO TO225
BC556BTA
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANSISTOR PNP 65V 100MA TO-92
C1608X7R1E105K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 1UF 25V 10% X7R 0603
BAT41JFILM
单二极管/整流器 STMicroelectronics SC-76，SOD-323 DIODE SCHOTTKY LOCAP SGL SOD-323
C0603C220G3GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 22PF 25V 2% NP0 0603
C0603C109B5GAC7867
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1PF 50V NP0 0603
BGA2816,115
RF 放大器 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC AMP MMIC WIDEBAND 6TSSOP
C1608X7R1E105K
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 1UF 25V 10% X7R 0603
BAT41KFILM
单二极管/整流器 STMicroelectronics SC-79，SOD-523 DIODE SCHOTTKY 100V SGL SOD-523
C0603C220G5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 22PF 50V 2% NP0 0603
BC556BU
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR PNP 65V 100MA TO-92
B82442A1155K
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 2220 1500UH 10%

BD680A 全国供应商、价格、PDF资料