BD677 全国供应商、价格、PDF资料

BD677详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS DARL NPN 60V SOT-32

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A

电流_集电极截止（最大）：500µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V

功率_最大：40W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：SOT-32-3

包装：管件

BD677详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS DARL NPN 60V 4A BIPO TO225

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.5V @ 30mA，1.5A

电流_集电极截止（最大）：500µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 1.5A，3V

功率_最大：40W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：TO225AA

包装：散装

BD6775EFV-E2详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关

描述：IC DRVR PWM H BRIDGE HTSSOP-B24

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

类型：H 桥

输入类型：非反相

输出数：4

导通电阻：3 欧姆

电流_输出/通道：500mA

电流_峰值输出：800mA

电压_电源：4.5 V ~ 6 V

工作温度：-20°C ~ 75°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：24-VSSOP（0.220"，5.60mm 宽）裸露焊盘

供应商器件封装：24-HTSSOP-B

包装：剪切带 (CT)

BD6775EFV-E2详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关

描述：IC DRVR PWM H BRIDGE HTSSOP-B24

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

类型：H 桥

输入类型：非反相

输出数：4

导通电阻：3 欧姆

电流_输出/通道：500mA

电流_峰值输出：800mA

电压_电源：4.5 V ~ 6 V

工作温度：-20°C ~ 75°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：24-VSSOP（0.220"，5.60mm 宽）裸露焊盘

供应商器件封装：24-HTSSOP-B

包装：带卷 (TR)

BD6775EFV-E2详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关

描述：IC DRVR PWM H BRIDGE HTSSOP-B24

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

类型：H 桥

输入类型：非反相

输出数：4

导通电阻：3 欧姆

电流_输出/通道：500mA

电流_峰值输出：800mA

电压_电源：4.5 V ~ 6 V

工作温度：-20°C ~ 75°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：24-VSSOP（0.220"，5.60mm 宽）裸露焊盘

供应商器件封装：24-HTSSOP-B

包装：Digi-Reel®

BD677A详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 60V 4A SOT-32

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.8V @ 40mA，2A

电流_集电极截止（最大）：500µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 2A，3V

功率_最大：40W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：SOT-32-3

包装：管件