BD676A 全国供应商、价格、PDF资料

BD676A详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS DARL PNP 45V 4A BIPO TO225

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：45V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.8V @ 40mA，2A

电流_集电极截止（最大）：500µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 2A，3V

功率_最大：40W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：TO225AA

包装：散装

BD676AG详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS DARL PNP 45V 4A BIPO TO225

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：45V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.8V @ 40mA，2A

电流_集电极截止（最大）：500µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 2A，3V

功率_最大：40W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：TO225AA

包装：散装

BD676AS详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 45V 4A TO-126

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：PNP - 达林顿

电流_集电极333Ic444（最大）：4A

电压_集电极发射极击穿（最大）：45V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.8V @ 40mA，2A

电流_集电极截止（最大）：500µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：750 @ 2A，3V

功率_最大：14W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：TO-126

包装：散装