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BD37710STU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 60V 2A TO-126

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V

功率_最大：25W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：TO-126

包装：管件

BD37716STU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 60V 2A TO-126

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 150mA，2V

功率_最大：25W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：TO-126

包装：管件

BD37725STU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 60V 2A TO-126

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：150 @ 150mA，2V

功率_最大：25W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：TO-126

包装：管件

BD3776STU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 60V 2A TO-126

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：25W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：TO-126

包装：管件