BD241C 全国供应商、价格、PDF资料

BD241C详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 100V 3A TO-220

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：100V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.2V @ 600mA，3A

电流_集电极截止（最大）：300µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10 @ 3A，4V

功率_最大：40W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220

包装：管件

BD241C详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 100V 3A BIPO TO220AB

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：100V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.2V @ 600mA，3A

电流_集电极截止（最大）：300µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：25 @ 1A，4V

功率_最大：40W

频率_转换：3MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件

BD241CG详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 100V 3A BIPO TO220AB

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：100V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.2V @ 600mA，3A

电流_集电极截止（最大）：300µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：25 @ 1A，4V

功率_最大：40W

频率_转换：3MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件

BD241CTU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 100V 3A TO-220

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：100V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.2V @ 600mA，3A

电流_集电极截止（最大）：300µA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：25 @ 1A，4V

功率_最大：40W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220

包装：管件