BD180 全国供应商、价格、PDF资料

BD180详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP 80V 3A BIPO TO-225

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：800mV @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：30W

频率_转换：3MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：TO225AA

包装：散装

BD18010STU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 80V 3A TO-126

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：800mV @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V

功率_最大：30W

频率_转换：3MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：TO-126

包装：管件

BD180G详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP 80V 1A TO225

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：800mV @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：30W

频率_转换：3MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：TO225AA

包装：散装