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BD140详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP SOT-32; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.25W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：SOT-32-3; 包装：管件

BD140详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 1.5A80V HPWR TO225AA; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.25W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO225AA; 包装：散装

BD140详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP SOT-32; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.25W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：SOT-32-3; 包装：管件

BD14010S详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 80V 1.5A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.25W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO-126; 包装：散装

BD14010STU详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 80V 1.5A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.25W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO-126; 包装：管件

BD14016S详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 80V 1.5A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.25W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO-126; 包装：散装

BC636,116
晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANSISTOR PNP 45V 1A TO-92
C0603Y221K1RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 220PF 100V 10% X7R 0603
C1812C102J5GACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 1000PF 50V 5% NP0 1812
BD139
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-225AA，TO-126-3 TRANS NPN 1.5A 80V HPWR TO225AA
C1358.38.90
多芯导线 General Cable/Carol Brand TO-225AA，TO-126-3 2C/16 SPKR WIRE CLR 500RL
C200H-ATTA3
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-225AA，TO-126-3 I/O LOCK BRACKT 10-SLOT
C0805C470G5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 47PF 50V 2% NP0 0805
C0603C0G1E4R3CTX
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 4.3PF 25V NP0 0201
BC637_D75Z
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANSISTOR NPN 60V 1A TO-92
C1812C102J5GACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 1000PF 50V 5% NP0 1812
C1360.18.02
多芯导线 General Cable/Carol Brand 1812（4532 公制） 2C/20 SPKR WIRE WHT 500SP
C0603C0G1E4R7B
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 4.7PF 25V NP0 0201
C0805C470J1GACAUTO
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 47PF 100V 5% NP0 0805
C200H-ATTA3
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） I/O LOCK BRACKT 10-SLOT
BC638,112
晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR PNP 60V 1A TO-92

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