BD139 全国供应商、价格、PDF资料

BD139详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN SOT-32

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：1.25W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：SOT-32-3

包装：管件

BD139详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 1.5A 80V HPWR TO225AA

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：1.25W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：TO225AA

包装：散装

BD139-10详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：1.25W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：SOT-32

包装：管件

BD13910S详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 80V 1.5A TO-126

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V

功率_最大：1.25W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：TO-126

包装：散装

BD13910STU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 80V 1.5A TO-126

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V

功率_最大：1.25W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：TO-126

包装：管件

BD139-16详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 80V 1.5A SOT32

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：80V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V

功率_最大：1.25W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：SOT-32-3

包装：管件