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BD138详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 60V 1.5A BIPO TO-252AA; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.25W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO225AA; 包装：散装

BD13810S详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 60V 1.5A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.25W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO-126; 包装：散装

BD13810STU详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 60V 1.5A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.25W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO-126; 包装：管件

BD13816S详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 60V 1.5A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.25W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO-126; 包装：散装

BD13816STU详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 60V 1.5A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.25W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO-126; 包装：管件

BD1386S详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 60V 1.5A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.25W; 频率_转换：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3; 供应商设备封装：TO-126; 包装：散装

C0402C103M3RACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 10000PF 25V 20% X7R 0402
C0603C339C3GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 3.3PF 25V NP0 0603
B82479G1684M
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 19X15 680UH 0.64A
C1608C0G1H330J
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 33PF 50V 5% NP0 0603
BD136G
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-225AA，TO-126-3 TRANS PNP 1.5A45V HPWR TO225AA
C1210C226M4PACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 22UF 16V 20% X5R 1210
C0402C103M4RACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 10000PF 16V 20% X7R 0402
B82496C3100G
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 0603 10 NH 2%
C0603C339C5GALTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 3.3PF 50V NP0 0603
C1210C226M8PACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 22UF 10V 20% X5R 1210
B82496C3120G
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 0603 12 NH 2%
C0603C339D1GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 3.3PF 100V NP0 0603
C0402C103M4RACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 10000PF 16V 20% X7R 0402
C1608C0G1H331F
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 330PF 50V 1% NP0 0603
BD138G
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-225AA，TO-126-3 TRANS PNP 60V 1.5A BIPO TO-252AA

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