

BCX71G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):20nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
BCX71H,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:180 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:剪切带 (CT)
BCX71H,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:180 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BCX71H,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:180 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:Digi-Reel®
BCX71H,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:180 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BCX71H,235详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:180 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 51PF 200V 10% NP0 0805
- LED - 电路板指示器,阵列,发光条,条形图 Dialight 0805(2012 公制) LED CBI 3MM 4X4 R/G,R/G,R/G,R/G
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 45V 200MA SOT-23
- 支架 - 配件 TE Connectivity TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CABLE SUPPORT BAR KIT MGT PNL
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CONN EDGECARD 72POS R/A .156 SLD
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.47UF 10% 630V
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 5100PF 50V 20% 1111
- 电容器 EPCOS Inc 2200UF 16V SINGLE END
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 510PF 25V 1% NP0 0805
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CONN EDGECARD 72POS R/A .156 SLD
- 卡边缘 - 触头 TE Connectivity TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CONN TERM CRIMP 20-24AWG GOLD
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.68UF 10% 630V
- LED - 电路板指示器,阵列,发光条,条形图 Dialight LED CBI 3MM 4X3 R/G,R/G,R/G,R/G
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 510PF 50V 1% NP0 0805