

BCW72,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):210mV @ 2.5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BCW72,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):210mV @ 2.5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:剪切带 (CT)
BCW72,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):210mV @ 2.5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:Digi-Reel®
BCW72,235详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):210mV @ 2.5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BCW72LT1详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN GP 45V 100MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):210mV @ 2.5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:225mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
BCW72LT1G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN GP 45V 100MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):210mV @ 2.5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:225mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.33UF 10V 20% Y5V 0805
- 晶体 EPSON 圆柱形罐,径向 CRYSTAL 149.4750KHZ 11PF CYL
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制)宽(长侧)0508(1220 公制) CAP CER 0.047UF 50V 10% X7R 0805
- 风扇 - DC Delta Product Groups 0805(2012 公制)宽(长侧)0508(1220 公制) BLOWER DC 5V 40X10 8500RPM
- 保险丝 Cooper Bussmann 3AB,3AG,1/4" x 1-1/4" FUSE 10A 250V FAST CER UL
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 48-BSSOP(0.295",7.50mm 宽) IC BUFF/DVR 16BIT N-INV 48SSOP
- 陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 100PF 16V 10% X7R 0201
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 3.3UF 10V 10% X5R 0805
- 配件 APM Hexseal TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BOOT PUSHBUTTON 3/8-27NS CLEAR
- 风扇 - DC Delta Product Groups TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 12V DC BLOWER 40X40X10 MM
- 保险丝 Cooper Bussmann 3AB,3AG,1/4" x 1-1/4" FUSE 20A 250V FAST CER UL
- 陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 1000PF 16V 10% X7R 0201
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 48-BSSOP(0.295",7.50mm 宽) IC TRANSCVR 16BIT N-INV 48SSOP
- 晶体 EPSON 圆柱形罐,径向 CRYSTAL 25.6000KHZ 11PF CYL