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BCW71详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：330MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：剪切带 (CT)

BCW71详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：330MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：Digi-Reel®

BCW71详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：330MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：带卷 (TR)

BCW71,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：210mV @ 2.5mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BCW71_D87Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：330MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23; 包装：带卷 (TR)

BCW71_ND87Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：330MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23; 包装：带卷 (TR)

BCW70,215
晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
B7A-R6A13
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 ADAPTER 16POS NPN OUT HOLD
BZX84C9V1ET3
单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT-23
B41858C6477M4
电容器 EPCOS Inc 470UF 50V SINGLE END
AXK7L48227G
板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 Panasonic Electric Works CONN SOCKET FPC .4MM 48POS SMD
B32652A0104J
薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 0.1UF 1KVDC RADIAL
68417W2203L461
D-Sub Norcomp Inc. 径向 CONN FEMALE 17W2 RA DIP SLD NKL
C0402C309C5GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 3PF 50V NP0 0402
BZX84C9V1LT1G
单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT-23
B41858C6477M8
电容器 EPCOS Inc 470UF 50V SINGLE END
AXK7L50217G
板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 Panasonic Electric Works CONN SOCKET FPC .4MM 50POS SMD
68417W2212461
D-Sub Norcomp Inc. CONN FEMALE 17W2 RA DIP SLD TIN
B32652A0153J
薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 0.015UF 1KVDC RADIAL
C0402C309C5GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 3PF 50V NP0 0402
BZX84C9V1LT1G
单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT-23

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