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BCW70,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 2.5mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：22 @ 10mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BCW70,235详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 2.5mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：215 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BCW70,235详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 2.5mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：215 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BCW70LT1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP GP 45V 100MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：215 @ 2mA，5V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

BCW70LT1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP GP 45V 100MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：215 @ 2mA，5V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

BCW70LT1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP GP 45V 100MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：215 @ 2mA，5V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

C0402C681J3RACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 680PF 25V 5% X7R 0402
BFC241874304
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.43UF 250VDC RADIAL
BCW70,235
晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
B32776G0126J
薄膜 EPCOS Inc 径向 - 4 引线 CAP FILM 12UF 1.1KVDC RADIAL
70F00103
配件 Storm Interface 径向 - 4 引线 KEYPAD KEYTOP LEG SET F NONILLUM
C0603C150K4GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 15PF 16V 10% NP0 0603
B32-1070
配件 - 帽盖 Omron Electronics Inc-EMC Div 0603（1608 公制） KEYCAP 4MM LT GRN FITS 6MM
BGR 405 H6327
RF 晶体管 (BJT) Infineon Technologies SC-82A，SOT-343 TRANS RF NPN 5V 12MA SOT343
C0402C681J5GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 680PF 50V 5% NP0 0402
B32776G1126K
薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 12UF 1.3KVDC RADIAL
70F00103
配件 Storm Interface 径向 KEYPAD KEYTOP LEG SET F NONILLUM
C0603C150K4GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 15PF 16V 10% NP0 0603
B32-1220
配件 - 帽盖 Omron Electronics Inc-EMC Div 0603（1608 公制） KEYCAP 9MM SQ ORG FITS 12MM
BGR269,112
线性 - 放大器 - 视频放大器和频缓冲器 NXP Semiconductors SOT-115J IC AMPLIFIER REVERSE SOT115J
C0402C681J5RACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 680PF 50V 5% X7R 0402

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