BCW68的供应信息|PDF资料|求购BCW68上51电子网

BCW68G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 800MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 30mA，300mA; 电流_集电极截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23; 包装：带卷 (TR)

BCW68GLT1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP GP 45V 800MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 30mA，300mA; 电流_集电极截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 10mA，1V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

BCW68GLT1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP GP 45V 800MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 30mA，300mA; 电流_集电极截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 10mA，1V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

BCW68GLT1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP GP 45V 800MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 30mA，300mA; 电流_集电极截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 10mA，1V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

BCW68GLT3G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP 45V 800MA SOT23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 30mA，300mA; 电流_集电极截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 10mA，1V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

BCW68HTA详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP -45V SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 10mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 100mA，1V; 功率_最大：330mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：带卷 (TR)

AQ11EA200FA1ME
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 20PF 150V 1% 0606
ADS7813UB/1KG4
数据采集 - 模数转换器 Texas Instruments 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC 16BIT 35MW SER OUT ADC 16SOIC
BCW66HTA
晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 45V SOT23-3
APTS003A0X4-SRZ
DC DC Converters GE 10-SMD 模块 CONVER DC-DC 0.59 5.5V @ 3A SMD
B380-13-F
单二极管/整流器 Diodes Inc DO-214AB，SMC DIODE SCHOTTKY 80V 3A SMC
AMC1203BDW
数据采集 - 模数转换器 Texas Instruments 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC DELTA-SIGMA MOD 16 BIT 16SOIC
40J820E
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RES 820 OHM 10W 5% WW AXIAL
B32921C3223M
薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 22NF 20% 305V MKP X2
AQ11EA200JA1ME
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 20PF 150V 5% 0606
B380-13-F
单二极管/整流器 Diodes Inc DO-214AB，SMC DIODE SCHOTTKY 80V 3A SMC
APTS003A0X-SRDZ
DC DC Converters GE 10-SMD 模块 CONVERTER DC/DC 5.5V 3A OUT
AMC1203BDWR
数据采集 - 模数转换器 Texas Instruments 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC DELTA-SIGMA MOD 16BIT 16SOIC
40JR30E
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RES .30 OHM 10W 5% WW AXIAL
B32921C3333K289
薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 33NF 10% 305V MKP X2
AQ11EA220FA1ME
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 22PF 150V 1% 0606

BCW68 全国供应商、价格、PDF资料