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BCW66G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 1A SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：剪切带 (CT)

BCW66G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 1A SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：Digi-Reel®

BCW66G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 1A SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：带卷 (TR)

BCW66G_D87Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 1A SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23; 包装：带卷 (TR)

BCW66GLT1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN GP 45V 800MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

BCW66GLT1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN GP 45V 800MA SOT-23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

BCW65CLT1G
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS NPN GP 32V 800MA SOT-23
ADS7812UG4
数据采集 - 模数转换器 Texas Instruments 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC ADC 12BIT SER 40K 16SOIC
AQ11EA1R8BA1WE
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 1.8PF 150V 0606
B37988N5224M054
陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 0.22UF 50V Z5U RADIAL
APTR3216ZGC
LED - 分立式 Kingbright Corp 1206（3216 公制） LED 3.2X1.6 525NM GN WTR CLR SMD
AMC10DRTS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 1206（3216 公制） CONN EDGECARD 20POS .100 DIP SLD
40J40RE
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RES 40 OHM 10W 5% WW AXIAL
B32921C3104M
薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 0.1UF 305VAC RADIAL
AQ11EA1R8BA1WE
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 1.8PF 150V 0606
APTS003A0X4-SRZ
DC DC Converters GE 10-SMD 模块 CONVER DC-DC 0.59 5.5V @ 3A SMD
B380-13
单二极管/整流器 Diodes Inc DO-214AB，SMC DIODE SCHOTTKY 80V 3A SMC
AMC10DRXH-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions DO-214AB，SMC CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD
40J560E
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RES 560 OHM 10W 5% WW AXIAL
B32921C3223M
薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 22NF 20% 305V MKP X2
AQ11EA200FA1ME
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 20PF 150V 1% 0606

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