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BCW61AMTF详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 2mA，5V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23; 包装：带卷 (TR)

BCW61B,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：剪切带 (CT)

BCW61B,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BCW61B,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：Digi-Reel®

BCW61B,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BCW61BMTF详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：140 @ 2mA，5V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23; 包装：带卷 (TR)

ADS7809U
数据采集 - 模数转换器 Texas Instruments 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC 16BIT SRL CMOS A/D SMD 20SOIC
B32921C3103K
薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 10NF 10% 305VAC MKPX2
AQ11EA1R0BA1WE
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 1PF 150V 0606
B37988G5474M054
陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 0.47UF 50V Z5U RADIAL
APTM50HM75FTG
FET Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP4
40J20R
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RES 20 OHM 10W 5% WW AXIAL
AMC10DRTH-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 轴向 CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD
ADS7812UBG4
数据采集 - 模数转换器 Texas Instruments 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC ADC 12BIT SER 40K 16SOIC
B32921C3103K
薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 10NF 10% 305VAC MKPX2
B37988G5474M054
陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 0.47UF 50V Z5U RADIAL
APTR3216EC
LED - 分立式 Kingbright Corp 1206（3216 公制） LED 3.2X1.6MM 625NM RED CLR SMD
AMC10DRTI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 1206（3216 公制） CONN EDGECARD 20POS .100 DIP SLD
40J35RE
通孔电阻器 Ohmite 轴向 RES 35 OHM 10W 5% WW AXIAL
ADS7812UE4
数据采集 - 模数转换器 Texas Instruments 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC 12BIT 35MW SER OUT ADC 16SOIC
B32921C3103M189
薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 10NF 20% 305VAC MKPX2

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