BCW60C 全国供应商、价格、PDF资料

BCW60C详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：32V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：20nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 2mA，5V

功率_最大：350mW

频率_转换：125MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23

包装：带卷 (TR)

BCW60C,215详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：32V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

频率_转换：250MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：带卷 (TR)

BCW60C,215详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：32V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

频率_转换：250MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：带卷 (TR)

BCW60C,235详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：32V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

频率_转换：250MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：带卷 (TR)

BCW60CT116详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 32V 200MA SST3 TR

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：200mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：32V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：260 @ 2mA，5V

功率_最大：-

频率_转换：125MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SST3

包装：带卷 (TR)