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BCW60B详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：20nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V; 功率_最大：350mW; 频率_转换：125MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23; 包装：带卷 (TR)

BCW60B,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：250MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BCW60B,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：250MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BCW60B,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：250MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：剪切带 (CT)

BCW60B,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：250MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：Digi-Reel®

BCW60B,235详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：32V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：550mV @ 1.25mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：180 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：250MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

C0805C473M8RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.047UF 10V 20% X7R 0805
C091 31D014 200 2
连接器，互连器件 Amphenol-Tuchel Electronics 0805（2012 公制） CONN FEMALE 14POS CABLE STRGHT
BCW60B,215
晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
C0805V562KBRACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 5600PF 630V 10% X7R 0805
ASM28DRMT-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 0805（2012 公制） CONN EDGECARD 56POS .156 EXTEND
557101-9
D形，Centronics TE Connectivity 0805（2012 公制） RCPT ASSY,R/A,50POS,CHAMP050
AQ12EM510FAJME
陶瓷 AVX Corporation 0606（1616 公制） CAP CER 51PF 150V 1% 0606
B32522C6154J
薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 0.15UF 400VDC RADIAL
C0805C474J3RACAUTO
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.47UF 25V 5% X7R 0805
C0805W103KCRACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 500V X7R 0805
557-1301-203F
面板指示器，指示灯 Dialight 0805（2012 公制） LED MINI PANEL YLW 4.3V REQ RES
ASM28DRXS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 0805（2012 公制） CONN EDGECARD 56POS DIP .156 SLD
B32522C6334K
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.3300UF 10% 400V
C091 31F005 100 2
连接器，互连器件 Amphenol-Tuchel Electronics CONN CIR FMALE 5POS R/A CABLE
C0805C474J3RACAUTO
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.47UF 25V 5% X7R 0805

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