

BCW60A详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):32V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):20nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:125MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
BCW60A_D87Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):32V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):20nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:125MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
BCW60B详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):32V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):20nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:180 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:125MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
BCW60B,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):32V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:180 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:250MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BCW60B,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):32V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:180 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:250MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BCW60B,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):32V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:180 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:250MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:剪切带 (CT)
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.2200UF 5% 250V
- 长方形 - 弹簧加载 Bourns Inc. MODULAR CONTACT SMD MALE
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 3300PF 1.5KVDC RADIAL
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
- 配件 Storm Interface TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 KEYPAD KEYTOP LEG SET B NONILLUM
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 5.0UF 5% 800V MKP
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.056UF 6.3V X7R 0402
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 3.3UF 10 % 63V
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 15PF 50V NP0 0603
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 5.0UF 10% 800V MKP
- 配件 Storm Interface KEYPAD KEYTOP LEG SET B NONILLUM
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 5.6PF 50V NP0 0402
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 47NF 5% 250V
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 4700PF 1.5KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 15PF 200V 2% NP0 0603