BCW31 全国供应商、价格、PDF资料

BCW31详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 32V 500MA SOT-23

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：500mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：32V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V

功率_最大：350mW

频率_转换：200MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SOT-23

包装：带卷 (TR)

BCW31,215详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：32V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：210mV @ 2.5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：带卷 (TR)

BCW31,215详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：32V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：210mV @ 2.5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：剪切带 (CT)

BCW31,215详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：32V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：210mV @ 2.5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：Digi-Reel®

BCW31T116详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 32V 100MA SST3 TR

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：32V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：-

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V

功率_最大：-

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：SST3

包装：带卷 (TR)