BCV47,215详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS DARL NPN 60V 500MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：220MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：Digi-Reel®
BCV47,215详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS DARL NPN 60V 500MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：220MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：剪切带 (CT)
BCV47,215详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS DARL NPN 60V 500MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：220MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：带卷 (TR)
BCV47,215详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS DARL NPN 60V 500MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：220MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：带卷 (TR)
BCV47,235详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS DARL NPN 30V 500MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：220MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：剪切带 (CT)
BCV47,235详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS DARL NPN 30V 500MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：220MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：带卷 (TR)
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ZENER 24V 250MW SOD882
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS DARL NPN 60V 500MA SOT23
- 模块 - 带磁性元件的插座 Wurth Electronics Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 CONN RJ45 8-8 W/TRANSFORMER
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT-23
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 330PF 16V 20% X7R 0402
- 陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 2.2PF 16V NP0 01005
- 电容器 EPCOS Inc 330UF 450V 35X30 SNAP-IN
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ZENER 250MW 24V SOD882
- D-Sub，D 形 - 后壳，防护罩 TE Connectivity SOD-882 CONN BACKSHELL DB15 PLASTIC
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 10V 350MW SOT-23
- 陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 2.2PF 16V NP0 01005
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 3300PF 16V 5% X7R 0402
- 电容器 EPCOS Inc 220UF 400V 30X25 SNAP-IN
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS DARL NPN 30V 500MA SOT23
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ZENER 250MW 27V SOD882
0755-83202411 
19166203057 
0755-82569753 
0755-23612326 
0755-23613962 
0755-82574045 
0755-82533534 
0755-83798683 
15914072177 
0755-88291559 
0512-67241533 
0755-84507209 
0755-18503085 
13715365718 
17876146278/1 
