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BCP56-10,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：960mW; 频率_转换：180MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：剪切带 (CT)

BCP56-10,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：960mW; 频率_转换：180MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：Digi-Reel®

BCP56-10,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：960mW; 频率_转换：180MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：带卷 (TR)

BCP56-10,135详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：960mW; 频率_转换：180MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：带卷 (TR)

BCP56-10T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.5W; 频率_转换：130MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：Digi-Reel®

BCP56-10T1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.5W; 频率_转换：130MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223; 包装：带卷 (TR)

68121W1102001
D-Sub Norcomp Inc. DO-204AH，DO-35，轴向 CONN MALE 21W1 VERT DIP SLD TIN
B85121A2105A750
馈通式电容器 EPCOS Inc 轴向 - 螺纹端子 CAP FEEDTHRU 250VAC 75A 1UF
BCP56-10T1G
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223
C2012X7R1E105K
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 25V 10% X7R 0805
AX500-FGG676I
嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） Microsemi SoC 676-BGA IC FPGA AXCELERATOR 500K 676FBGA
BAS20-7
单二极管/整流器 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SWITCH 150V 250MW SOT23-3
BZX79C16_T50R
单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE ZENER 16V 500MW DO-35
C1D0406N-A
旋转 Electroswitch DO-204AH，DO-35，轴向 SWITCH ROTARY 4P-6POS ENCLOSED
B85121A2504A101
馈通式电容器 EPCOS Inc 轴向 - 螺纹端子 CAP FEEDTHRU 250VAC 100A .5UF
C2012X7R1E224K
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 0.22UF 25V 10% X7R 0805
BAS20DW-7
二极管，整流器 - 阵列 Diodes Inc 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 DIODE SWITCH 150V 200MW SC70-6
AXA003A0X4-SRZ
DC DC Converters GE 5-SMD 模块 CONVERT DC/DC 0.75 5.5V @ 3A SMD
BZX79C18_T50R
单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE ZENER 18V 500MW DO-35
C1D0606S-A
旋转 Electroswitch DO-204AH，DO-35，轴向 SWITCH ROTARY 6P-6POS ENCLOSED
68121W2102001
D-Sub Norcomp Inc. DO-204AH，DO-35，轴向 CONN FEM 21W1 VERT DIP SLD TIN

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