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BCP55详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：IC TRANS NPN SS GP 1.5A SOT223-4; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.5W; 频率_转换：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223-3; 包装：Digi-Reel®

BCP55详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：IC TRANS NPN SS GP 1.5A SOT223-4; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.5W; 频率_转换：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223-3; 包装：带卷 (TR)

BCP55详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：IC TRANS NPN SS GP 1.5A SOT223-4; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.5W; 频率_转换：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SOT-223-3; 包装：剪切带 (CT)

BCP55,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.35W; 频率_转换：180MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：剪切带 (CT)

BCP55,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.35W; 频率_转换：180MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：带卷 (TR)

BCP55,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：1.35W; 频率_转换：180MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：SC-73; 包装：Digi-Reel®

7488910520
RF 天线 Wurth Electronics Inc SC-70，SOT-323 ANTENNA MULTILAYER 5.1-5.3GHZ
BAR 88-02V E6127
RF 二极管 Infineon Technologies SC-79，SOD-523 DIODE PIN SGL 80V 100MA SC-79
BCP5416TA
晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-261-4，TO-261AA TRANS NPN 45V 1A 2W SOT223
C0402C823K8RACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 0.082UF 10V 10% X7R 0402
C-002RX 32.7680K-E:PBFREE
晶体 EPSON 圆柱形罐，径向 CRYSTAL 32.7680KHZ 6.0PF CYL
BZX79-C24,143
单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE ZENER 24V 500MW DO-35
BZX79-B6V2,113
单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE ZENER 6.2V 500MW DO-35
BZX84C3V6LT1G
单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 3.6V 225MW SOT-23
BAR 88-07LRH E6327
RF 二极管 Infineon Technologies 4-XFDFN DIODE PIN PAR 80V 100MA TSLP-4-7
C-005R 32.7680K-AC
晶体 EPSON 圆柱形罐，径向 CRYSTAL 32.7680KHZ 9PF CYL
C0402C823K8RACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 0.082UF 10V 10% X7R 0402
BZX79-C24,143
单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE ZENER 24V 500MW DO-35
BZX79-B6V2,133
单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE ZENER 6.2V 500MW DO-35
BAR 90-098LRH E6327
RF 二极管 Infineon Technologies 4-XFDFN DIODE PIN ANTI 80V 100MA TSLP4-7
BZX84C3V6W-7
单二极管/齐纳 Diodes Inc SC-70，SOT-323 DIODE ZENER 3.6V 200MW SC70-3

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