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BC860C,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BC860C,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：Digi-Reel®

BC860C,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：剪切带 (CT)

BC860C,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BC860C,235详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BC860C,235详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：420 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

C0603C560F5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 56PF 50V 1% NP0 0603
BFC238340124
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.12UF 1.4KVDC RADIAL
C0805C189D5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1.8PF 50V NP0 0805
BRL2012T470M
固定式 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） INDUCTOR 47UH 125MA 20% SMD
BC860AMTF
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT-23
C0805C560J5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 56PF 50V 5% NP0 0805
74VHC374MTC
逻辑 - 触发器 Fairchild Semiconductor 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC FLIP FLOP OCT D-TYPE 20-TSSOP
C0805C103M3RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 25V 20% X7R 0805
C0603C560F5GALTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 56PF 50V 1% NP0 0603
C0805C200G1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 20PF 100V 2% NP0 0805
BRL2012T6R8M
固定式 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） INDUCTOR 6.8UH 20% 0805 SMD
74VHC374MTCX
逻辑 - 触发器 Fairchild Semiconductor 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC FLIP FLOP OCT D 3ST 20TSSOP
C0805C560J5GALTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 56PF 50V 5% NP0 0805
C0805C103M5RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 50V 20% X7R 0805
C0603C560G3GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 56PF 25V 2% NP0 0603

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