BC857B,215 全国供应商、价格、PDF资料

BC857B,215详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP GP 100MA 45V SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：45V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：220 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：带卷 (TR)

BC857B,215详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP GP 100MA 45V SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：45V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：220 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：剪切带 (CT)

BC857B,215详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP GP 100MA 45V SOT23

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：100mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：45V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：220 @ 2mA，5V

功率_最大：250mW

频率_转换：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TO-236AB

包装：Digi-Reel®