

BC856AW,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):65V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70
- 包装:带卷 (TR)
BC856AW,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):65V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70
- 包装:Digi-Reel®
BC856AW,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):65V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70
- 包装:剪切带 (CT)
BC856AW,135详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):65V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70
- 包装:带卷 (TR)
BC856AW-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS BIPO PNP 200MW 65V SC70-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):65V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SOT-323
- 包装:Digi-Reel®
BC856AW-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS BIPO PNP 200MW 65V SC70-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):65V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SOT-323
- 包装:剪切带 (CT)
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-110 DIODE ZENER 18V 400MW SOD110
- 矩形 - 内置,直接连接电路板 TE Connectivity SOD-110 CONN PLUG IDC 20POS .1X.1 DIP
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors SC-70,SOT-323 TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AL,DO-41,轴向 TVS 400W 31V 5% UNIDIR DO-204AL
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1000PF 10V 10% X7R 0402
- 配件 Circuitco Electronics LLC 0402(1005 公制) BEAGLEBONE LCD3 CAPE
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 47PF 25V 5% NP0 0402
- 固定式 Wurth Electronics Inc 非标准 INDUCTOR POWER 150UH 1.21A SMD
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-110 DIODE ZENER 33V 400MW SOD110
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1000PF 10V 10% X7R 0402
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AL,DO-41,轴向 TVS 400W 40V 5% BIDIR DO-204AL
- 配件 Circuitco Electronics LLC DO-204AL,DO-41,轴向 BEAGLEBONE LCD3 CAPE
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 47PF 16V 5% NP0 0402
- 固定式 Wurth Electronics Inc 非标准 INDUCTOR POWER 220UH .96A SMD
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-110 DIODE ZENER 3.9V 400MW SOD110