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BC849B,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：Digi-Reel®

BC849B,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BC849B,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BC849B,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：剪切带 (CT)

BC849B,235详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BC849B,235详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

C200HG-CPU43-E
其它 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） CPU 15.2K W/RS232 880POS I/O
C0805C102K5RACAUTO
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1000PF 50V 10% X7R 0805
BC849B,235
晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
C1812C221MGRACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 220PF 2KV 20% X7R 1812
BD45262G-TR
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 宽），5 引线 IC RESET OD 2.6V 200MS 5SSOP
C0603C0G1H390J
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 39PF 50V 5% NP0 0201
BFC238370392
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 3900PF 2.5KVDC RADIAL
C200HG-CPU43-ZE
其它 Omron Electronics Inc-IA Div 径向 CPU 15.2K W/RS232 880POS I/O
C0805C511J1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 510PF 100V 5% NP0 0805
C1812C222J2GACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 2200PF 200V 5% NP0 1812
BD45271G-TR
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 宽），5 引线 IC RESET OD 2.7V 100MS 5SSOP
BFC238370433
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.043UF 2.5KVDC RADIAL
C0603C0G1H390J
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 39PF 50V 5% NP0 0201
C0805C511J1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 510PF 100V 5% NP0 0805
C200HG-CPU53-E
其它 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） CPU 15.2K 1184POS I/O

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