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BC848A-7-F详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS BIPO NPN 300MW 30V SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：15nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：300mW; 频率_转换：300MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：带卷 (TR)

BC848ALT1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN LP 100MA 30V SOT23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

BC848ALT1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN LP 100MA 30V SOT23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

BC848ALT1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN LP 100MA 30V SOT23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

BC848ALT1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN LP 100MA 30V SOT23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

BC848AMTF详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：30V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：310mW; 频率_转换：300MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23; 包装：带卷 (TR)

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配件 Keystone Electronics CARRIER BD
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BC847T,115
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可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） Infineon Technologies SC-76，SOD-323 DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323
BC327ZL1G
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANSISTOR PNP 45V 800MA TO-92
B32654A224J
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BD9582F-E2
PMIC - 电源管理 - 专用 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） IC CURR DETECT EARTH LEAK 8SOP
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薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 4.7NF 5% 1600V
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电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 250V

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