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BC846S,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列; 描述：TRANSISTOR NPN 65V 100MA 6TSSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：2 NPN（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：300mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：6-TSSOP; 包装：剪切带 (CT)

BC846S,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列; 描述：TRANSISTOR NPN 65V 100MA 6TSSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：2 NPN（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：300mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：6-TSSOP; 包装：Digi-Reel®

BC846S,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列; 描述：TRANSISTOR NPN 65V 100MA 6TSSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：2 NPN（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：300mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：6-TSSOP; 包装：带卷 (TR)

BC846S,125详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列; 描述：TRANSISTOR NPN 65V 100MA 6TSSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：2 NPN（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：300mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：6-TSSOP; 包装：带卷 (TR)

BC846S,125详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列; 描述：TRANSISTOR NPN 65V 100MA 6TSSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：2 NPN（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：300mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：6-TSSOP; 包装：Digi-Reel®

BC846S,125详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列; 描述：TRANSISTOR NPN 65V 100MA 6TSSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：2 NPN（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：300mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：6-TSSOP; 包装：剪切带 (CT)

BD235
晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-225AA，TO-126-3 TRANSISTOR POWER NPN SOT-32
C1812C105J1RACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 1UF 100V 5% X7R 1812
BC846S,115
晶体管(BJT) - 阵列 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANSISTOR NPN 65V 100MA 6TSSOP
C0805C101J1GACAUTO
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 100PF 100V 5% NP0 0805
C0603C0G1ER75C
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 0.75PF 25V NP0 0201
C1608C0G1H020B
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 2PF 50V NP0 0603
C200H-CN510-EU
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0603（1608 公制） CABLE 9-9 PIN PT/PLC COMM .5M
C0805C473Z3VACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.047UF 25V Y5V 0805
BD237
晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-225AA，TO-126-3 TRANSISTOR POWER NPN SOT-32
C0805C101J1GALTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 100PF 100V 5% NP0 0805
C0603C0G1ER75C
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 0.75PF 25V NP0 0201
C1608C0G1H030B
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 3PF 50V NP0 0603
C0805C474J3RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.47UF 25V 5% X7R 0805
C200H-CN510-EU
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） CABLE 9-9 PIN PT/PLC COMM .5M
BD2-389OU
配件 CBM America Corporation 0805（2012 公制） CNTRLR FOR MLT-389 THERMAL PRINT

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