BC846BW,115详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 100MA 65V SOT323
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V
- 功率_最大：200mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70
- 包装：剪切带 (CT)
BC846BW,115详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 100MA 65V SOT323
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V
- 功率_最大：200mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70
- 包装：带卷 (TR)
BC846BW,115详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 100MA 65V SOT323
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V
- 功率_最大：200mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70
- 包装：Digi-Reel®
BC846BW,135详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 100MA 65V SOT323
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V
- 功率_最大：200mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70
- 包装：带卷 (TR)
BC846BW-7-F详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN BIPOLAR 65V SC70-3
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V
- 功率_最大：200mW
- 频率_转换：300MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SOT-323
- 包装：Digi-Reel®
BC846BW-7-F详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN BIPOLAR 65V SC70-3
- 系列：-
- 制造商：Diodes Inc
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V
- 功率_最大：200mW
- 频率_转换：300MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SOT-323
- 包装：剪切带 (CT)
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD80C
- 陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 1206
- D-Sub，D 形 - 配件 TE Connectivity 1206（3216 公制） CONN D-SUB GASKET RFI 37POS TIN
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors SC-70，SOT-323 TRANSISTOR NPN 100MA 65V SOT323
- 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 NXP Semiconductors 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） IC 16BIT TXRX 3-ST 48-TSSOP
- 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） Infineon Technologies SC-80 DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD-80
- 固定式 Wurth Electronics Inc 1008（2520 公制） INDUCTOR 8.2NH 1.0A WW 1008
- 二极管，整流器 - 阵列 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SCHOTTKY 40V SOT-23
- 单二极管/齐纳 Micro Commercial Co DO-213AC（玻璃） DIODE ZENER 500MW 8.2V MINIMELF
- D-Sub TE Connectivity SC-70，SOT-323 CONN D-SUB RECPT R/A 9POS PCB AU
- 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 NXP Semiconductors 48-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽） IC 16BIT TXRX 3-ST 48-SSOP
- 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） Infineon Technologies SC-80 DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD80
- 固定式 Wurth Electronics Inc 1008（2520 公制） INDUCTOR 10NH 1.0A WW 1008
- 二极管，整流器 - 阵列 Infineon Technologies TO-253-4，TO-253AA DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT-143
- 陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 4.7UF 16V 20% X7R 1206
13410665908 
0755-83202411 
19166203057 
0755-22655674 
0755-83242658 
0755-82569753 
0755-23612326 
13717008271 
0755-82574045 
0755*83682918 
0755-82533534 
0755-83798683 
0755-82561519 
83209217 
0755-88291559 
