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BC846B详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：IC TRANS NPN SS GP 100MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：310mW; 频率_转换：300MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23; 包装：剪切带 (CT)

BC846B详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：IC TRANS NPN SS GP 100MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：310mW; 频率_转换：300MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23; 包装：带卷 (TR)

BC846B,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN GP 100MA 65V SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：剪切带 (CT)

BC846B,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN GP 100MA 65V SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：Digi-Reel®

BC846B,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN GP 100MA 65V SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BC846B,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN GP 100MA 65V SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BD2046AFJ-E2
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC SWITCH HIGH SIDE 2CH SOP-J8
C1812C103M5RACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 10000PF 50V 20% X7R 1812
BC846AWT1G
晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor SC-70，SOT-323 TRANSISTOR NPN 65V 100MA SOT-323
C200H-CN225
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SC-70，SOT-323 CABLE DATA SETTING CONSOLE 2M
C15A2P-GFI
断路器 American Electrical Inc SC-70，SOT-323 CIR BRKR MAG-HYDR 15A LEVER
C0603C0G1E8R2C
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 8.2PF 25V NP0 0201
C0805C473G3GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.047UF 25V 2% NP0 0805
C0805C100K1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10PF 100V 10% NP0 0805
BD2056AFJ-E2
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC SWITCH HIGH SIDE 2CH SOP-J8
C15A3P
断路器 American Electrical Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 CIR BRKR MAG-HYDR 15A LEVER
C200H-CN225
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 CABLE DATA SETTING CONSOLE 2M
C0603C0G1E8R2C
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 8.2PF 25V NP0 0201
C0805C473J3RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.047UF 25V 5% X7R 0805
BC846BLP4-7B
晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc 3-XFDFN TRANS NPN 65V 100MA X2-DFN1006-3
BD2056AFJ-E2
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC SWITCH HIGH SIDE 2CH SOP-J8

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