BC817-40W,115详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 500MA 45V SOT323
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 100mA，1V
- 功率_最大：200mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70
- 包装：带卷 (TR)
BC817-40W,115详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 500MA 45V SOT323
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 100mA，1V
- 功率_最大：200mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70
- 包装：剪切带 (CT)
BC817-40W,115详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 500MA 45V SOT323
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 100mA，1V
- 功率_最大：200mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70
- 包装：Digi-Reel®
BC817-40W,115详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 500MA 45V SOT323
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 100mA，1V
- 功率_最大：200mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70
- 包装：带卷 (TR)
BC817-40W,135详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 500MA 45V SOT323
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 100mA，1V
- 功率_最大：200mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70
- 包装：Digi-Reel®
BC817-40W,135详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 500MA 45V SOT323
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 100mA，1V
- 功率_最大：200mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70
- 包装：剪切带 (CT)
- RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors SC-82A，SOT-343 TRANS NPN 6V 10MA 14GHZ SOT343R
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Rohm Semiconductor 8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽） IC REG BOOST 1.4A 8MSOP
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.33UF 16V 10% X5R 0603
- 陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 6800PF 50V 5% NP0 1210
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 2PF 50V NP0 0402
- RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors SOT-143R TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT143R
- 线性 - 比较器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） IC COMPARATOR DUAL 0.6MA SOP8
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Diodes Inc 6-XFDFN IC GATE NAND SGL 2INP 6DFN
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Rohm Semiconductor 8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽） IC REG BOOST 1.4A 8MSOP
- 陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 8200PF 50V 5% NP0 1210
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 2PF 10V NP0 0402
- 线性 - 比较器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） IC COMPARATOR DUAL 0.6MA SOP8
- RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors SC-82A，SOT-343 TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT343R
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC 2-IN NAND GATE LP 6-XSON
- PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Rohm Semiconductor 8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽） IC REG BOOST 1.4A 8MSOP
0755-22655674 
0755-83202411 
13410941925 
0755-82561519 
13480301972 
0755-18503085 
0755-88291559 
0755-82569753 
0755-82574045 
0755-82522939 
0755-23613962 
19166203057 
0755-23140719 
0755-83051566 
0755-84507209 
