BC639的供应信息|PDF资料|求购BC639上51电子网

BC639详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC639详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC639,112详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：830mW; 频率_转换：180MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：管件

BC639,116详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：830mW; 频率_转换：180MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

BC639,126详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：830mW; 频率_转换：180MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

BC639_D26Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

C0402C151K5GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 150PF 50V 10% NP0 0402
C1210F475K4RALTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 4.7UF 16V 10% X7R 1210
BF014E0332J
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 3300PF 100VDC RADIAL
BC636
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR PNP 45V 1A TO-92
BCR 108 E6327
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN DGTL SOT-23
BA05CC0WT
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-220-5 整包 IC REG LDO 5V 1A TO220FP-5
BK/HMJ
保险丝座 Cooper Bussmann TO-220-5 整包 FUSE & HOLDER SFE-20 W/8" LEAD
BD6067GU-E2
PMIC - LED 驱动器 Rohm Semiconductor 8-VCSP IC LED DRIVR WHITE BCKLGT 8-VCSP
C1210N104K5XRH7189
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 0.1UF 50V 10% X7R 1210
BF014E0332K
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 3300PF 100VDC RADIAL
BCR 108 E6433
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN DGTL SOT-23
BA05FP-E2
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IC REG LDO 5V 1A TO-252
BK/HPF-RR
保险丝座 Cooper Bussmann TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 FUSEHOLDER 13/32" 30A PANEL MNT
C1210S104K1RACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1210
BF014E0333K
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 0.033UF 100VDC RADIAL

BC639 全国供应商、价格、PDF资料